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参数资料
| 型号： | NUD3124DMT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD DRVR AUTO SC74-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroIntegration™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 1.4 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 200mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3124DMT1OSCT |
NUD3124, SZNUD3124
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain to Source Sustaining Voltage
(I D = 10 mA)
Drain to Source Leakage Current
(V DS = 12 V, V GS = 0 V)
(V DS = 12 V, V GS = 0 V, T J = 125 ° C)
(V DS = 28 V, V GS = 0 V)
(V DS = 28 V, V GS = 0 V, T J = 125 ° C)
Gate Body Leakage Current
(V GS = 3.0 V, V DS = 0 V)
(V GS = 3.0 V, V DS = 0 V, T J = 125 ° C)
(V GS = 5.0 V, V DS = 0 V)
(V GS = 5.0 V, V DS = 0 V, T J = 125 ° C)
V BRDSS
I DSS
I GSS
28
?
?
?
?
?
?
?
?
34
?
?
?
?
?
?
?
?
38
0.5
1.0
50
80
60
80
90
110
V
m A
m A
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V GS = V DS , I D = 1.0 mA)
(V GS = V DS , I D = 1.0 mA, T J = 125 ° C)
Drain to Source On ? Resistance
(I D = 150 mA, V GS = 3.0 V)
(I D = 150 mA, V GS = 3.0 V, T J = 125 ° C)
(I D = 150 mA, V GS = 5.0 V)
(I D = 150 mA, V GS = 5.0 V, T J = 125 ° C)
Output Continuous Current
(V DS = 0.25 V, V GS = 3.0 V)
(V DS = 0.25 V, V GS = 3.0 V, T J = 125 ° C)
Forward Transconductance
(V DS = 12 V, I D = 150 mA)
V GS(th)
R DS(on)
I DS(on)
g FS
1.3
1.3
?
?
?
?
150
140
?
1.8
?
?
?
?
?
200
?
500
2.0
2.0
1.4
1.7
0.8
1.1
?
?
?
V
W
mA
mmho
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Ciss
?
32
?
pf
(V DS = 12 V, V GS = 0 V, f = 10 kHz)
Output Capacitance
Coss
?
21
?
pf
(V DS = 12 V, V GS = 0 V, f = 10 kHz)
Transfer Capacitance
Crss
?
8.0
?
pf
(V DS = 12 V, V GS = 0 V, f = 10 kHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
Propagation Delay Times:
High to Low Propagation Delay; Figure 1, (V DS = 12 V, V GS = 3.0 V)
Low to High Propagation Delay; Figure 1, (V DS = 12 V, V GS = 3.0 V)
High to Low Propagation Delay; Figure 1, (V DS = 12 V, V GS = 5.0 V)
Low to High Propagation Delay; Figure 1, (V DS = 12 V, V GS = 5.0 V)
Transition Times:
Fall Time; Figure 1, (V DS = 12 V, V GS = 3.0 V)
Rise Time; Figure 1, (V DS = 12 V, V GS = 3.0 V)
Fall Time; Figure 1, (V DS = 12 V, V GS = 5.0 V)
Rise Time; Figure 1, (V DS = 12 V, V GS = 5.0 V)
t PHL
t PLH
t PHL
t PLH
t f
t r
t f
t r
?
?
?
?
?
?
?
?
890
912
324
1280
2086
708
556
725
?
?
?
?
?
?
?
?
ns
ns
http://onsemi.com
4
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