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参数资料
| 型号： | NUD3160 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Industrial Inductive Load Driver(工业电感负载驱动器) |
| 中文描述： | 工业感性负载驱动器（工业电感负载驱动器） |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | NUD3160 |
NUD3160
http://onsemi.com
6
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Figure 10. On Resistance Variation vs.
GatetoSource Voltage
Figure 11. Zener Clamp Voltage vs. Zener
Current
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
2.2
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0
10
20
30
40
50
60
2.0
2.4
I
D
= 250 A
I
Z
, ZENER CURRENT (mA)
10
1.0
0.1
62.0
62.5
63.0
63.5
64.0
64.5
65.0
100
1000
V
Z
70
80
90
100
R
D
,
125
°
C
85
°
C
25
°
C
40
°
C
125
°
C
85
°
C
25
°
C
40
°
C
65.5
66.0
2.8
2.6
3.0
66.5
67.0
67.5
68.0
Figure 12. Maximum Nonrepetitive Surge
Power vs. Pulse Width
P
W
, PULSE WIDTH (ms)
100
10
0.1
1
10
100
P
1.0
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NUD3160DMT1 | 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3160DMT1G | 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NUD3160LT1 | 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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