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参数资料
| 型号： | NUP4201DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS LO CAP HS DATA 500W 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 功率（瓦特）： | 500W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NUP4201DR2GOSDKR |
NUP4201DR2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage @ I t = 1.0 mA
Reverse Leakage Current @ V RWM = 5.0 Volts
Maximum Clamping Voltage @ I PP = 1.0 A, 8 x 20 m S
Maximum Clamping Voltage @ I PP = 10 A, 8 x 20 m S
Maximum Clamping Voltage @ I PP = 25 A, 8 x 20 m S
Between I/O Pins and Ground @ DC Bias = 0 V, 1.0 MHz
Between I/O Pins and I/O @ DC Bias = 0 V, 1.0 MHz
Symbol
V BR
I R
V C
V C
V C
Capacitance
Capacitance
Min
6.0
N/A
N/A
N/A
N/A
?
?
Typ
?
?
?
?
?
5.0
2.5
Max
?
10
9.8
12
25
10
5.0
Unit
V
m A
V
V
V
pF
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
UNIDIRECTIONAL (Circuit tied to Pins 1 and 3 or 2 and 3)
Symbol
Parameter
I PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
I F
I
I R V F
V C
V RWM
I R
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V C V BR V RWM
I T
V
V BR
Breakdown Voltage @ I T
I T
Q V BR
I F
V F
Z ZT
I ZK
Z ZK
Test Current
Maximum Temperature Coefficient of V BR
Forward Current
Forward Voltage @ I F
Maximum Zener Impedance @ I ZT
Reverse Current
Maximum Zener Impedance @ I ZK
http://onsemi.com
2
I PP
Uni ? Directional TVS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NUP4201MR6 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Transient Voltage Suppressors |
| NUP4201MR6/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Low Capacitance Surface Mount Diode-TVS Array for Protection in Four High Speed Data Lines |
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