参数资料
型号: NUP4201DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: IC TVS LO CAP HS DATA 500W 8SOIC
标准包装: 1
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6V
功率(瓦特): 500W
电极标记: 4 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: NUP4201DR2GOSDKR
NUP4201DR2
TYPICAL CHARACTERISTICS
9
8
7
6
5
4
3
2
1
8
7
6
5
4
3
2
1
0
? 100
? 50
0
50
100
150
200
0
? 100
? 50
0
50
100
150
200
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Reverse Breakdown versus
Temperature
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Reverse Leakage versus
Temperature
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
t r
t P
PEAK VALUE I RSM @ 8 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 m s
HALF VALUE I RSM /2 @ 20 m s
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
t, TIME ( m s)
Figure 3. 8 x 20 m s Pulse Waveform
I PP , PEAK PULSE CURRENT (A)
Figure 4. Clamping Voltage versus Peak Pulse
Current
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