参数资料
| 型号： | NUS2045MNT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 29/Oct/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 工作： | 3 ~ 25V |
| 电压 - 箝位： | 7.08V |
| 技术： | 混合技术 |
| 功率（瓦特）： | 1W |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 通用 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NUS2045MN, NUS3045MN
MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C unless otherwise stated)
Rating
OUT Voltage to GND
Input and CNTRL Pin Voltage to GND
V CC Maximum Range
Pin
7
1
3
8
?
Symbol
V O
V input
V CNTRL
V CC(max)
P D
Min
?0.3
?0.3
?0.3
?0.3
?
Max
30
30
13
30
1.0
Unit
V
V
V
W
Junction Temperature
Operating Ambient Temperature
V CNTRL Operating Voltage
Storage Temperature Range
OVP IC
P?Channel FET
?
?
?
3
?
1,2,3,7,8,10
R θ JA
T J
T A
?
T stg
?
?
?
?40
0
?65
2.5
108.6
104.3
150
85
5.0
150
?
° C/W
° C
° C
V
° C
kV
Drain?to?Source Voltage
NUS2045MN
NUS3045MN
V DSS
?20
?30
V
Gate?to?Source Voltage
NUS2045MN
NUS3045MN
Continuous Drain Current, Steady State, T A = 25 ° C (Note 1)
NUS2045MN
NUS3045MN
V GS
I D
?8
?20
8
20
?1.0
?1.0
V
A
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Surface?mounted on FR4 board using 1 inch sq pad size (Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).
2. Human body model (HBM): MIL STD 883C Method 3015?7, (R = 1500 W , C = 100 pF, F = 3 pulses delay 1 s).
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NUS2401SNT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200mA 50V Integrated NPN/PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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