参数资料
| 型号： | NUS2045MNT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 29/Oct/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 工作： | 3 ~ 25V |
| 电压 - 箝位： | 7.08V |
| 技术： | 混合技术 |
| 功率（瓦特）： | 1W |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 通用 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NUS2045MN, NUS3045MN
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T A = 25 ° C, unless otherwise specified)
30 V, P?CHANNEL MOSFET
12
11
10
9
8
?10V
?4.5 V ?4.2 V
?8 V
?6 V
?4 V
?3.8 V
0.2
T J = 25 ° C
I D = ?3.7 A
7
?5.5 V
6
5
4
3
?5 V
?3.6 V
?3.4 V
?3.2 V
0.1
2
1
0
T J = 25 ° C
?3 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100000
10000
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. On?Region Characteristics
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
10
?V GS, GATE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
T J = 100 ° C
1000
100
T J = 100 ° C
0.1
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
5
10
15
20
25
30
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
7
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Diode Forward Voltage vs. Current
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NUS2401SNT1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200mA 50V Integrated RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NUS2401SNT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated PNP/NPN Digital Transistors Array |
| NUS2401SNT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200mA 50V Integrated NPN/PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NUS2501W6 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated NPN Digital Transistor with Switching Transistor with Switching |
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