参数资料
| 型号： | NUS2045MNT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 29/Oct/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 工作： | 3 ~ 25V |
| 电压 - 箝位： | 7.08V |
| 技术： | 混合技术 |
| 功率（瓦特）： | 1W |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 通用 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NUS2045MN, NUS3045MN
P?CHANNEL MOSFET
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain to Source On Resistance
R DS(on)
m W
V GS = ?4.5 V, I D = 600 mA
V GS = ?4.5 V, I D = 1.0 A
V GS = ?4.5 V, I D = 600 mA
V GS = ?4.5 V, I D = 1.0 A
NUS2045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS3045MN
71
71
66
66
95
95
110
110
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS = 0 V, V DS = ?16 V
V GS = 0 V, V DS = ?24 V
Turn On Delay (Note 4)
V GS = ?4.5 V
V GS = ?4.5 V
Turn Off Delay (Note 4)
V GS = ?4.5 V
V GS = ?4.5 V
Input Capacitance (Note 3)
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = ?10 V
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = ?15 V
Gate to Source Leakage Current
V GS = ± 8.0 V, V DS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
Drain to Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = ?250 m A
Gate Threshold Voltage
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
I DSS
t on
t off
C in
I GSS
V (BR)DSS
V (GS)th
20
30
7.5
11
30.2
28
675
750
± 10
± 10
?1.0
?1.0
m A
ns
ns
pF
nA
V
V
V GS = V DS , I D = ?250 m A
NUS2045MN
NUS3045MN
?1.2
?3.0
?0.4
?1.0
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
5
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