参数资料
| 型号： | NUS3045MNT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OVP W/30V P-CH MOSFET DFN8 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 工作： | 3 ~ 25V |
| 电压 - 箝位： | 7.08V |
| 技术： | 混合技术 |
| 功率（瓦特）： | 1W |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 通用 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NUS2045MN, NUS3045MN
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T A = 25 ° C, unless otherwise specified)
30 V, P?CHANNEL MOSFET
12
11
10
9
8
?10V
?4.5 V ?4.2 V
?8 V
?6 V
?4 V
?3.8 V
0.2
T J = 25 ° C
I D = ?3.7 A
7
?5.5 V
6
5
4
3
?5 V
?3.6 V
?3.4 V
?3.2 V
0.1
2
1
0
T J = 25 ° C
?3 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100000
10000
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. On?Region Characteristics
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
10
?V GS, GATE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
T J = 100 ° C
1000
100
T J = 100 ° C
0.1
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
5
10
15
20
25
30
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
7
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCP3712ASNT1 | IC OVP HIGH SIDE SWITCH SC74-6 |
| TA35-CBTWF160C0 | CIRC BREAKER/WHITE ROCKER 2P 16A |
| NUS2045MNT1 | IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8 |
| TA35-CBTWF100C0 | CIRC BREAKER/WHITE ROCKER 2P 10A |
| MMS-140-01-L-SV | CONN RCPT 2MM 40POS SGL VERT PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUS3045MNT1G | 功能描述:监控电路 PM OVP W/MOSFET 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NUS3046MN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET |
| NUS3046MNT1G | 功能描述:MOSFET 5.5V OVP IC W/ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUS3055MUTAG | 功能描述:监控电路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NUS3065MU | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET |
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