参数资料
| 型号： | NUS3045MNT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OVP W/30V P-CH MOSFET DFN8 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 工作： | 3 ~ 25V |
| 电压 - 箝位： | 7.08V |
| 技术： | 混合技术 |
| 功率（瓦特）： | 1W |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 通用 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NUS2045MN, NUS3045MN
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T A = 25 ° C, unless otherwise specified)
20 V, P?CHANNEL MOSFET
10
V GS = ?10 V ? ?2.4 V
T J = 25 ° C
0.1
0.09
V GS = ?5.0 V
T = 125 ° C
8
?2.2 V
0.08
0.07
T = 25 ° C
6
4
2
.
?2.0 V
?1.8 V
?1.6 V
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
T = ?55 ° C
0.01
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
3
5
7
9
100000
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. On?Region Characteristics
5
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 9. On?Resistance vs. Drain Current and
Temperature
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
4.5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
3.5
1000
100
10
1.0
T J = 125 ° C
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
?V DS, DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
8
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCP3712ASNT1 | IC OVP HIGH SIDE SWITCH SC74-6 |
| TA35-CBTWF160C0 | CIRC BREAKER/WHITE ROCKER 2P 16A |
| NUS2045MNT1 | IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8 |
| TA35-CBTWF100C0 | CIRC BREAKER/WHITE ROCKER 2P 10A |
| MMS-140-01-L-SV | CONN RCPT 2MM 40POS SGL VERT PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUS3045MNT1G | 功能描述:监控电路 PM OVP W/MOSFET 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NUS3046MN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET |
| NUS3046MNT1G | 功能描述:MOSFET 5.5V OVP IC W/ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUS3055MUTAG | 功能描述:监控电路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| NUS3065MU | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。