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参数资料
| 型号： | NVD4815NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.26W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTD4815N, NVD4815N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
60
50
5.5 V to 10 V
5V
T J = 25 ° C
4.5 V
80
70
V DS ≥ 10 V
60
40
30
4V
3.8 V
50
40
20
3.6 V
30
T J = 125 ° C
10
0
0
1
2
3
4
3.4 V
3.2 V
3V
5
20
10
0
0
T J = 25 ° C
1 2
3
T J = ? 55 ° C
4 5
6
7
8
9
10
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.030
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 11.5 V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10
15
20
25
30
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
I D = 30 A
V GS = 10 V
100,000
10,000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
1.5
1000
1.0
100
T J = 125 ° C
0.5
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
4
8
12
16
20
24
28
32
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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