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参数资料
| 型号： | NVD5862NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 48A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 4.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5862N
TYPICAL CHARACTERISTICS
6000
5000
4000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
9
8
7
6
Q gs
Q T
Q gd
3000
2000
5
4
3
1000
0
C rss
C oss
2
1
0
V DS = 48 V
I D = 48 A
T J = 25 ° C
0
10 20 30 40 50
60
0
10
20 30 40 50
60 70
80
90
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
V DD = 48 V
I D = 48 A
V GS = 10 V
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
t f
t d(on)
60
t d(off)
10
1
40
20
0
1
10
100
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
1 ms
10 ms
dc
100 m s 10 m s
225
200
175
I D = 37 A
150
10
125
1
0.1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
100
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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