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参数资料
| 型号： | NVF5P03T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTF5P03, NVF5P03
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
5
4
3
2
? 6 V
? 8 V
? 10 V
? 3.9 V
? 3.7 V
? 4.1 V
? 4.3 V
? 4.5 V
T J = 25 ° C
? 3.5 V
? 3.1 V
? 2.8 V
10
9
8
7
6
5
4
3
V DS ≥ ? 10 V
T J = 25 ° C
1
2
0
V GS = ? 2.7 V
1
0
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
2
2
2.5 3 3.5 4 4.5
5
0.200
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.200
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.175
0.150
0.125
I D = ? 5.2 A
T J = 25 ° C
0.180
0.160
0.140
0.120
T J = 25 ° C
V GS = ? 4.5 V
0.100
0.100
0.075
0.050
0.080
0.060
0.040
0.020
V GS = ? 10 V
0.025
3
4
5
6
7
8
9
10
0.000
1
2.5
4
5.5
7
8.5
10
1.65
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
1000
? I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.55
1.45
1.35
1.25
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
0.65
I D = ? 5.2 A
V GS = ? 10 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
5
10 15 20 25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
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