型号: | NX3008NBKV |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET |
中文描述: | SMALL SIGNAL, FET |
封装: | PLASTIC, 6 PIN |
文件页数: | 1/17页 |
文件大小: | 863K |
代理商: | NX3008NBKV |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NX3008NBKW | 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET |
NX3008NBK | 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET |
NX3008PBKS | 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET |
NX3008PBKT | 30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET |
NX3008PBKV | 30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NX3008NBKV,115 | 功能描述:MOSFET 30V 400 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NX3008NBKW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 350MA SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai |
NX3008NBKW,115 | 功能描述:MOSFET 30V 350 MA N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NX3008PBK | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 30V 230MA SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 30V, 230MA, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 30V, 230MA, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-230mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):2.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-900mV ;RoHS Compliant: Yes |
NX3008PBK,215 | 功能描述:MOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |