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参数资料
| 型号： | OP520DA |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODARLINGTON NPN BLK 1206 SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 30mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 200nA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 150° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 1206（3216 公制） |
| 产品目录页面： | 2789 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 365-1474-1 |
Silicon Photo Darlington in Miniature 1206 SMD
Package
OP520DA, OP521DA
OP520DA, OP521DA
Relative On-State Collector Current
vs. Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Dark Current
vs. Temperature
30
25
20
1.2 mW/ cm 2
1.0 mW/ cm 2
1000
100
Conditions: E e = 0 mW/cm 2
V CE = 10V
0.8 mW/ cm 2
17.5
15.0
0.6 mW/ cm 2
0.4 mW/ cm 2
10
12.5
10.0
0.2 mW/ cm 2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.5
3
-25
0
25
50
75
100
Collector-Emitter Voltage (V)
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (800) 341-4747 FAX: (972) 323 – 2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Temperature —( ° C)
Issue A 03.08
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP521 | PHOTOTRANSISTOR NPN CLEAR 1206 |
| OP522 | PHOTOTRANSISTOR NPN CLEAR 1206 |
| OP525DA | PHOTODARLINGTON NPN CLR 1210 SMD |
| OP535C | PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1 |
| OP538FC | PHOTODARL SILCN NPN FLAT SD LOOK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP521 | 功能描述:光电晶体管 Phototrans Clear RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP521 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Transistor |
| OP521DA | 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP522 | 功能描述:光电晶体管 Phototrans Clear RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP522 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Transistor |
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