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参数资料
| 型号： | OP525DA |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODARLINGTON NPN CLR 1210 SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 30mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 200nA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 25° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 1210（3225 公制） |
| 其它名称： | 365-1476-1 |
Silicon Phototransistor and Photo Darlington
in 1210 SMD Package
OP525, OP525DA, OP525F
OP525 and OP525DA
Relative Response vs. Wavelength
100%
80%
60%
40%
20%
0%
400
500
600
700
800
900
1000 1100
Wavelength (nm)
OP525
3.5
Collector Current—I C (mA) vs
Collector-Emiiter Voltage V CE (V)
100
Collector Current—I C (mA) vs
Optical Power-Ee(mW/cm 2 )
3.0
10
2.5
Ee = 2.0mW/cm 2
2.0
Ee = 1.5mW/cm 2
1.0
1.5
Ee = 1.25mW/cm 2
0.1
Ee = 1.0mW/cm 2
0.1
0.5
Ee = 0.5mW/cm 2
0
1
2
3
4
0
1
3
5
Optical Power—Ee(mW/cm )
Collector-Emitter Voltage—V CE (V)
2
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue F 05/2012
Page 4 of 5
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Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP535C | PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1 |
| OP538FC | PHOTODARL SILCN NPN FLAT SD LOOK |
| OP550D | PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK |
| OP555D | PHOTOTRNS NPN PLASTIC SIDE LOOK |
| OP560C | PHOTODARLINGTON NPN 935NM SIDELK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP525F | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP526,005 | 功能描述:MOSFET OP526/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP528,005 | 功能描述:MOSFET OP528/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP529,005 | 功能描述:MOSFET OP529/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP530 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
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