参数资料
型号: OP525DA
厂商: TT Electronics/Optek Technology
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描述: PHOTODARLINGTON NPN CLR 1210 SMD
标准包装: 1
系列: *
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 35V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 30mA
电流 - 暗 (Id)(最大): 200nA
波长: 935nm
视角: 25°
功率 - 最大: 100mW
安装类型: 表面贴装
方向: 顶视图
封装/外壳: 1210(3225 公制)
其它名称: 365-1476-1
Silicon Phototransistor and Photo Darlington
in 1210 SMD Package
OP525, OP525DA, OP525F
35
30
25
20
15
Collector Current—I C (mA)
vs
Ee = 0.50mW/
Ee = 0.40mW/
Ee = 0.30mW/
OP525DA
10
10
1.0
Collector Current—I C
10
Ee = 0.20mW/
.1
5
Ee = 0.10mW/
0
1
2
3
4
0
.25
.5
1
Collector-Emitter Voltage—V CE
Sensitivity Chart
OP525F
Optical Power—Ee(mW/cm 2 )
Spectral Sensitivity
Relative Response Vs. Wavelength
Relative Collector Current vs.Irradiance
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Issue F
05/2012
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PDF描述
OP535C PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1
OP538FC PHOTODARL SILCN NPN FLAT SD LOOK
OP550D PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK
OP555D PHOTOTRNS NPN PLASTIC SIDE LOOK
OP560C PHOTODARLINGTON NPN 935NM SIDELK
相关代理商/技术参数
参数描述
OP525F 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP526,005 功能描述:MOSFET OP526/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP528,005 功能描述:MOSFET OP528/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP529,005 功能描述:MOSFET OP529/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
OP530 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTODARLINGTON