型号: | OP580 |
厂商: | OPTEK TECHNOLOGY INC |
元件分类: | 光敏三极管 |
英文描述: | Silicon Phototransistor in SMT Plastic Package |
中文描述: | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
封装: | ROHS COMPLIANT, MINIATURE, LEADLESS, PLASTIC, SMD, LCC-2 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 268K |
代理商: | OP580 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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OP600A | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
OP600B | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
OP600C | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
OP600 | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
OP600A | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶体管,宽接收角,集电极最小电流1.20mA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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OP580 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Phototransistor |
OP580/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP580/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
OP580DA | 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
OP581/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP581/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
OP582/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP582/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |