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参数资料
| 型号： | OP580 |
| 厂商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | Silicon Phototransistor in SMT Plastic Package |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIATURE, LEADLESS, PLASTIC, SMD, LCC-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | OP580 |
SMT Silicon Phototransistor
OP580
OPTEK Technology Inc.—
1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (800) 341-4747 FAX: (972) 323– 2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue 1.1 07.05
Page 3 of 4
I
C
-
Collector-Emitter Dark Current
vs. Temperature
-25
0
25
Temperature—(
°
C)
C
10
1000
Relative On-State Collector Current
vs. Collector-Emitter Voltage
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Collector-Emitter Voltage (V)
1
50
75
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
0.20
1.40
100
0
30
60
0%
20%
40%
60%
80%
100%
R
Angular Position (Degrees)
Relative Response vs.
Angular Position
0
-30
-60
-90
90
100
Conditions: E
e
= 0 mW/cm
2
V
CE
= 10V
6 mW/cm
2
5 mW/cm
2
4 mW/cm
2
3 mW/cm
2
2 mW/cm
2
1 mW/cm
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP600A | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
| OP600B | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
| OP600C | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
| OP600 | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP600A | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶体管，宽接收角，集电极最小电流1.20mA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP580 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Phototransistor |
| OP580/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP580/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP580DA | 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP581/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP581/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP582/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP582/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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