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参数资料
| 型号： | OP580 |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR NPN SMD PLCC-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 100° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-PLCC |
| 产品目录页面： | 2789 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 365-1162-6 |
Silicon Phototransistor
OP580
Relative On-State Collector Current vs
Irradiance
Relative On-State Collector Current vs
Temperature
160
140
Normalized at E E = 5 mW/cm 2 Con-
ditions: V CE = 5 V,
140
130
Normalized at T A = 25° C .
Conditions: V CE = 5 V,
80°C
120
100
80
60
λ = 935 nm, T A = 25° C
120
110
100
90
λ = 935 nm, T A = 25° C
40
20
80
70
-40°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-25
0
25
50
75
100
EE rradiance (mW/cm )
1000
2
Collector-Emitter Dark Current vs
Temperature
Conditions: Ee = 0 mW/
1.4
Temperature (°C)
Relative On-State Collector Current vs
Collector-Emitter Voltage
cm
W/
m
W/c
100
cm 2 V CE = 10V
1.2
1.0
6m
5m
2
2
m
4 mW/c
2
0.8
3 mW/cm
10
0.6
2
1
0
0.4
0.2
2 mW/cm 2
1 mW/cm 2
-25
0
25
50
75
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Temperature (°C)
Collector-Emitter Voltage (V)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue 1.3 05/10
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP598C | PHOTOTRNS PLSTIC SILCN NPN T13/4 |
| OP599C | PHOTOTRNS PLSTIC SILCN NPN T13/4 |
| OP600B | PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL |
| OP641SL | PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL |
| OP705D | PHOTOTRANSISTR NPN W/RES T-1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP580 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Phototransistor |
| OP580/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP580/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP580DA | 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP581/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP581/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP582/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP582/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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