- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录496 > OP580DA (TT Electronics/Optek Technology)PHOTODARLINGTON NPN CLR PLCC-2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | OP580DA |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODARLINGTON NPN CLR PLCC-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 32mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 1µA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 100° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-PLCC |
| 产品目录页面： | 2789 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 365-1481-1 |
Silicon Photo Darlington in PLCC-2 Package
OP580DA
Relative Collector Current-I C (mA)
vs. Irradiance-Ee (mW/cm 2 )
Relative On-State Collector Current
vs Temperature
40
35
30
25
20
15
10
5
Normalized at E e = 1mW/cm 2
Conditions: V CE = 5V,
= 935nm, T A = 25 °C
140
130
120
110
100
90
80
70
Normalized at T A = 25° C .
Conditions: V CE = 5 V,
= 935 nm, T A = 25° C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
-25
0
25
50
75
100
Irradiance- Ee (mW/cm )
2
Collector-Emitter Dark Current
vs Temperature
Temperature (°C)
Relative On-State Collector Current
vs. Collector-Emitter Voltage
1000
100
Conditions: Ee = 0 mW/
cm 2 V CE = 10V
30
25
1.2 mW/ cm 2
1.0 mW/ cm 2
20
0.8 mW/ cm 2
17.5
10
1
15.0
12.5
0.6 mW/ cm 2
0.4 mW/ cm 2
0
10.0
0.2 mW/ cm 2
-25
0
25
50
75
100
0
0.5
1.0
1.5
2.5
3
Temperature (°C)
Collector-Emitter Voltage (V)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A 03/08
Page 3 of 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP580 | PHOTOTRANSISTOR NPN SMD PLCC-2 |
| OP598C | PHOTOTRNS PLSTIC SILCN NPN T13/4 |
| OP599C | PHOTOTRNS PLSTIC SILCN NPN T13/4 |
| OP600B | PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL |
| OP641SL | PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP581/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP581/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP582/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP582/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP586/A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| OP58L | 制造商:AXIOHM 功能描述:PAPER ROLL LONG FOR 1000 PTRS 制造商:AXIOHM 功能描述:PAPER ROLL, LONG, FOR 1000 PTRS 制造商:AXIOHM 功能描述:PAPER ROLL, LONG, FOR 1000 PTRS; External Length / Height:30m ;RoHS Compliant: NA |
| OP58TS | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:High speed, high output pin photo diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。