参数资料
| 型号： | OPA659IDBVR |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 12/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| 增益带宽积： | 350MHz |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 32mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
+V
S
Output
NC
InvertingInput
NoninvertingInput
-
V
S
1
2
3
5
4
+V
S
InvertingInput
Output
-
V
S
NoninvertingInput
SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.
ORDERING INFORMATION(1)
SPECIFIED
PACKAGE
TEMPERATURE
PACKAGE
ORDERING
TRANSPORT
PRODUCT
PACKAGE-LEAD
DESIGNATOR
RANGE
MARKING
NUMBER
MEDIA, QUANTITY
OPA659IDBVT
Tape and reel, 250
OPA659
SOT23-5
DBV
–40°C to +85°C
BZX
OPA659IDBVR
Tape and reel, 3000
OPA659IDRBT
Tape and reel, 250
OPA659
VSON-8
DRB
–40°C to +85°C
OBFI
OPA659IDRBR
Tape and reel, 3000
(1)
For the most current package and ordering information see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI
web site at www.ti.com.
Over operating free-air temperature range (unless otherwise noted).
OPA653
UNIT
Power Supply Voltage VS+ to VS–
±6.5
V
Input Voltage
±VS
V
Input Current
100
mA
Output Current
100
mA
Continuous Power Dissipation
See Thermal Characteristics
Operating Free Air Temperature Range, TA
–40 to +85
°C
Storage Temperature Range
–65 to +150
°C
Maximum Junction Temperature, TJ
+150
°C
Maximum Junction Temperature, TJ (continuous operation for long term reliability)
+125
°C
Human Body Model (HBM)
4000
V
ESD
Charge Device Model (CDM)
1000
V
Rating:
Machine Model
200
V
DRB PACKAGE
DRV PACKAGE
VSON-8
SOT23-5
(TOP VIEW)
Note:
NC: Not connected.
2
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX4202ESA+T | IC BUFFER OPEN LOOP 8-SOIC |
| OPA659IDRBR | IC OPAMP WBND VFB JFET IN 8-SON |
| MAX4104ESA+T | IC OP AMP LOW NOISE 8-SOIC |
| P40-G240-WHX | CIRCUIT PROT 240MA 40VIMP TBU |
| RL0510S-R10-F | RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
| OPA660 | 制造商:BB 制造商全称:BB 功能描述:Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER AND BUFFER |
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