参数资料
型号: OPA659IDBVR
厂商: Texas Instruments
文件页数: 3/32页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5
标准包装: 3,000
放大器类型: J-FET
电路数: 1
转换速率: 2550 V/µs
增益带宽积: 350MHz
-3db带宽: 650MHz
电流 - 输入偏压: 10pA
电压 - 输入偏移: 1000µV
电流 - 电源: 32mA
电流 - 输出 / 通道: 70mA
电压 - 电源,单路/双路(±): ±3.5 V ~ 6.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
供应商设备封装: SOT-23-5
包装: 带卷 (TR)
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
-
±
V
(V)
O
U
T
10
100
1000
R
( )
W
LOAD
V = 6.0V
G=+1V/V
R =249
S
F
W
±
V
Low
OUT
V
High
OUT
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
T
ransimpedanceGain
(dB
)
W
100k
1M
10M
100M
Frequency(Hz)
R =1M ,C =Open
F
W
R =1k ,C =4.7pF
F
W
R =10k ,C =Open
F
W
R =10k ,C =1.5pF
F
W
R =100k ,C =Open
F
W
R =100k ,
C =0.5pF
F
W
R =1k ,
C =Open
F
W
R =1M ,
C =0.25pF
W
F
3000
2000
1000
0
SlewRate(V/
s)
m
0
1
2
3
4
5
V
/V
(V)
OUT
STEP
V = 6.0V
G=+2V/V
R
=100
S
LOAD
W
±
6
Falling
SlewRate
Rising
SlewRate
www.ti.com ............................................................................................................................................ SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009
TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
At VS = ±6V, RF = 0, G = +1V/V, and RL = 100, unless otherwise noted.
TRANSIMPEDANCE GAIN
MAXIMUM/MINIMUM ±VOUT
vs FREQUENCY (CD = 100pF)
vs RLOAD
Figure 31.
Figure 32.
SLEW RATE
vs VOUT STEP
Figure 33.
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
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Product Folder Link(s): OPA659
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PDF描述
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RL0510S-R10-F RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402
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参数描述
OPA659IDBVT 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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