参数资料
| 型号： | OPA659IDBVR |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 13/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| 增益带宽积： | 350MHz |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 32mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Bill of Materials
SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
Table 4 lists the bill of material for the OPA659EVM as supplied from TI.
Table 4. OPA659EVM Parts List
REFERENCE
MANUFACTURER
ITEM
DESCRIPTION
SMD SIZE
DESIGNATOR
QUANTITY
PART NUMBER
1
Cap, 10.0
F, Tantalum, 10%, 35V
D
C1, C2
2
(AVX) TAJ106K035R
2
Cap, 0.1
F, Ceramic, X7R, 16V
0603
C3, C4
2
(AVX) 0603YC104KAT2A
3
Open
0603
R1, R2
2
4
Resistor, 0
0603
R4
1
(ROHM) MCR03EZPJ000
5
Resistor, 49.9
, 1/10W, 1%
0603
R3, R5
2
(ROHM) MCR03EZPFX49R9
Jack, Banana Receptance, 0.25in
6
J4, J5, J8
3
(SPC) 813
diameter hole
7
Connector, Edge, SMA PCB Jack
J1, J2, J3
3
(JOHNSON) 142-0701-801
8
Test Point, Black
TP1
1
(KEYSTONE) 5001
9
IC, OPA659
U1
1
(TI) OPA659DRB
10
Standoff, 4-40 HEX, 0.625in length
4
(KEYSTONE) 1808
11
Screw, Phillips, 4-40, .250in
4
SHR-0440-016-SN
12
Board, Printed Circuit
1
(TI) EDGE# 6506173
(STEWARD)
13
Bead, Ferrite, 3A, 80
1206
FB1, FB2
2
HI1206N800R-00
20
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX4202ESA+T | IC BUFFER OPEN LOOP 8-SOIC |
| OPA659IDRBR | IC OPAMP WBND VFB JFET IN 8-SON |
| MAX4104ESA+T | IC OP AMP LOW NOISE 8-SOIC |
| P40-G240-WHX | CIRCUIT PROT 240MA 40VIMP TBU |
| RL0510S-R10-F | RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
| OPA660 | 制造商:BB 制造商全称:BB 功能描述:Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER AND BUFFER |
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