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参数资料
型号： P4KE51T
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件页数： 4/4页
文件大小： 186K
代理商： P4KE51T
Silicon Avalanche Diodes
285
www .littelfuse .com
6
SILICON
DIODE
ARRA
YS
400W Axial Leaded Transient Voltage Supressors
P4KE Series
1.0 (25.4)
MIN.
1.0 (25.4)
MIN.
0.107(2.7)
0.080(2.0)
DIA.
All dimensions in inches and (millimeters)
0.034(0.86)
0.028(0.71)
DIA.
0.205(5.2)
0.160(4.1)
DO-204AL
(DO-41 Plastic)
RoHS
Package Outline Dimensions
相关PDF资料
PDF描述
P4KE200CA-E3/4 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
P4KE250C-E3/23 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
P4KE6.8CA-E3/23 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
P4KE62CA-E3/4 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
P4KE20A-HE3/54 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
相关代理商/技术参数
参数描述
P4KE51-T 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 _ RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P4KE520A-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W, 520V,Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P4KE520CA-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W, 520V,Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P4KE520C-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W, 520V,Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P4KE520-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W, 520V,Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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