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参数资料
| 型号： | PC28F128J3C-120 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PBGA64 |
| 封装： | LEAD FREE, BGA-64 |
| 文件页数： | 49/72页 |
| 文件大小： | 905K |
| 代理商： | PC28F128J3C-120 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页当前第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
49
13.4
Array Protection
The V
PEN
signal is a hardware mechanism to prohibit array alteration. When the V
PEN
voltage is
below the V
PENLK
voltage, array contents cannot be altered. To ensure a proper erase or program
operation, V
PEN
must be set to a valid voltage level. To determine the status of an erase or program
operation, poll the Status Register and analyze the bits.
6
Factory
1
0
0
0
0
1
0
0
0
7
Factory
1
0
0
0
0
1
0
0
1
8
User
1
0
0
0
0
1
0
1
0
9
User
1
0
0
0
0
1
0
1
1
A
User
1
0
0
0
0
1
1
0
0
B
User
1
0
0
0
0
1
1
0
1
C
User
1
0
0
0
0
1
1
1
0
D
User
1
0
0
0
0
1
1
1
1
E
User
1
0
0
0
1
0
0
0
0
F
User
1
0
0
0
1
0
0
0
1
NOTE:
All address lines not specified in the above table must be 0 when accessing the Protection Register,
i.e.g., A[MAX:9] = 0.
Table 21. Byte-Wide Protection Register Addressing (Sheet 2 of 2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC28F128J3C-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F128J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3A-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3A-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PC28F128J3C-125 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F128J3C-150 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F128J3D-75 | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx? Embedded Flash Memory (J3 v. D) |
| PC28F128J3D75A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| PC28F128J3D75B | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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