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参数资料
| 型号： | PC9RS08KA2PAE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 61/136页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 2KB FLASH RS08 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | RS08 |
| 核心处理器： | RS08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 10MHz |
| 外围设备： | LVD，POR，WDT |
| 输入/输出数： | 4 |
| 程序存储器容量： | 2KB（2K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 63 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | DEMO9RS08KA2-ND - DEMO BOARD FOR 9RS08KA2 |
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Chapter 4 Memory
MC9RS08KA2 Series Data Sheet, Rev. 4
30
Freescale Semiconductor
Up to 1000 program/erase cycles at typical voltage and temperature
Security feature for Flash
4.6.2
Flash Programming Procedure
Programming of Flash memory is done on a row basis. A row consists of 64 consecutive bytes starting
from addresses $3X00, $3X40, $3X80, or $3XC0. Use the following procedure to program a row of Flash
memory:
1. Apply external VPP.
2. Set the PGM bit. This configures the memory for program operation and enables the latching of
address and data for programming.
3. Write any data to any Flash location, via the high page accessing window $00C0–$00FF, within
the address range of the row to be programmed. (Prior to the data writing operation, the PAGESEL
register must be configured correctly to map the high page accessing window to the corresponding
Flash row).
4. Wait for a time, tnvs.
5. Set the HVEN bit.
6. Wait for a time, tpgs.
7. Write data to the Flash location to be programmed.
8. Wait for a time, tprog.
10. Clear the PGM bit.
11. Wait for a time, tnvh.
12. Clear the HVEN bit.
13. After time, trcv, the memory can be accessed in read mode again.
14. Remove external VPP.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Flash memory cannot be programmed or erased by software code executed
from Flash locations. To program or erase Flash, commands must be
executed from RAM or BDC commands. User code should not enter wait or
stop during erase or program sequence.
These operations must be performed in the order shown; other unrelated
operations may occur between the steps.
4.6.3
Flash Mass Erase Operation
Use the following procedure to mass erase the entire Flash memory:
1. Apply external VPP.
2. Set the MASS bit in the Flash control register.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC9RS08KA2FPE | MCU 8BIT 2KB FLASH RS08 6-VDFN |
| PC9RS08KA2DWE | MCU 8BIT 2KB FLASH RS08 8-SOIC |
| VI-B6Z-IX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W |
| MPC565MZP56R2 | IC MPU 1M FLASH 56MHZ 388-PBGA |
| MPC565CZP40R2 | IC MPU 1M FLASH 40MHZ 388-PBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PC9RS08KA8CWJ | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| PC9RS08LA8CFT | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 8K FLASH W/LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PC9RS08LA8CLF | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 8K FLASH W/LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PC9RS08LE4CWL | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 4K FLASH W/LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PC9S08AC128CFGE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-Bit MCU 128K FLASH 8K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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