DMG4511SK4
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>> DMG4511SK4(这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。)
DMG4511SK4中文资料
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DMG4511SK4
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
10 Pages
202.39 Kbytes
DMG4511SK4-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
10 Pages
202.39 Kbytes
DMG4710SSS
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
175.23 Kbytes
DMG4710SSS-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
175.23 Kbytes
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DMG4712SSS
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
159.41 Kbytes
DMG4712SSS-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
159.41 Kbytes
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DMG4800LFG
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
166.94 Kbytes
DMG4800LFG-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
166.94 Kbytes
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DMG4800LK3
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
242.62 Kbytes
DMG4800LK3-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
242.62 Kbytes
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DMG4800LSD
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
148.65 Kbytes
DMG4800LSD-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
148.65 Kbytes
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DMG4812SSS
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
160.43 Kbytes
DMG4812SSS-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
160.43 Kbytes
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DMG4932LSD
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
9 Pages
206.16 Kbytes
DMG4932LSD-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
9 Pages
206.16 Kbytes
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DMG563H1
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
PANASONIC
Panasonic Semiconductor
6 Pages
388.60 Kbytes
DMG5802LFX
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
162.18 Kbytes
DMG5802LFX-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
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162.18 Kbytes
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DMG6402LDM
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
161.86 Kbytes
DMG6402LDM-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG6602SVT
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
10 Pages
272.05 Kbytes
DMG6602SVT-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
10 Pages
272.05 Kbytes
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DMG6898LSD
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
6 Pages
145.53 Kbytes
DMG6898LSD-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
6 Pages
145.53 Kbytes
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DMG6968U
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
153.04 Kbytes
DMG6968U
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
2 Pages
163.95 Kbytes
DMG6968U-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
153.04 Kbytes
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DMG6968U-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
2 Pages
163.95 Kbytes
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DMG6968UDM
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
151.64 Kbytes
DMG6968UDM-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
151.64 Kbytes
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DMG6968UQ-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
2 Pages
163.95 Kbytes
DMG6968UTS
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
143.27 Kbytes
DMG6968UTS-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
6 Pages
143.27 Kbytes
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DMG7430LFG
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
7 Pages
223.45 Kbytes
DMG7702SFG
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
8 Pages
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DMG8601UFG
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
6 Pages
177.39 Kbytes
DMG8601UFG-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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6 Pages
177.39 Kbytes
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DMG8822UTS
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DMG8822UTS-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
6 Pages
156.11 Kbytes
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DMG8880LK3
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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6 Pages
231.12 Kbytes
DMG8880LK3-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG8880LSS
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
149.83 Kbytes
DMG8880LSS-13
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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6 Pages
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DMG963H10R
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
PANASONICBATTERY
Panasonic Battery Group
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DMG964010R
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PANASONIC
Panasonic Semiconductor
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DMG9640N
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PANASONIC
Panasonic Semiconductor
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DMG9926UDM
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DMG9926UDM-7
这种新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
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DMG9926USD
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DIODES
Diodes Incorporated
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166.97 Kbytes
DMG4511SK4参数资料
电子元器件
参数资料
DMG4511SK4
制造商:Diodes Incorporated;功能描述:MOSFET NP CH COM PAIR 35V TO2524L;制造商:Diodes Incorporated;功能描述:MOSFET, NP CH, COM PAIR, 35V, TO2524L;制造商:Diodes Incorporated;功能描述:MOSFET, NP CH, COM PAIR, 35V, TO2524L, Transistor Polarity;
DMG4511SK4供应商
电子元器件
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DMG4511SK4
北京京北通宇电子元件有限公司
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25000
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0755-23607487
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深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
Diodes Incorporated
TO-252-4L
15+
198250
DMG4511SK4-13
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
朱先生
0755-8281200482811605
VISHAY
原厂封装
11
30000
DMG4511SK4-13
深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
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SOT252-4
2012+
10000
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科创特电子(香港)有限公司
柯
0755-83014603
DIODES
SOT252-4
10+
10000
DMG4511SK4-13
深圳市明锐微科技有限公司
李先生
0755-83255012
ZETEX/DIODES
TO252
1124+
7500
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北京京北通宇电子元件有限公司
祁志明
16605347030
Diodes Inc.
原厂封装
12+13+
4500
DMG4511SK4-13
深圳市汇思成科技有限公司
孙小姐
0755-23619322
Diodes
TO-252-4L
15+
20000
DMG4511SK4-13
北京远洋华创科技有限公司
杨经理
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原厂
原厂封装
13+
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