参数资料
| 型号： | PESD24VU1UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 24V |
| 电压 - 击穿： | 25.4V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4039-6 |
NXP Semiconductors
PESDxU1UT series
Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
P PP
I PP
T j
T amb
T stg
Parameter
peak pulse power
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
peak pulse current
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
Conditions
8/20 μ s
8/20 μ s
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
? 65
? 65
Max
80
80
200
200
200
5
5
5
5
3
150
+150
+150
Unit
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
° C
° C
° C
PESDXU1UT_SER_2
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2009
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