参数资料
| 型号： | PESD24VU1UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 24V |
| 电压 - 击穿： | 25.4V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4039-6 |
NXP Semiconductors
Table 6.
PESDxU1UT series
Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
ESD maximum ratings
Symbol
V ESD
Parameter
electrostatic discharge voltage
Conditions
IEC 61000-4-2
[1][2]
Min
Max
Unit
(contact discharge)
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
PESDxU1UT
HBM MIL-STD-883
-
10
kV
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 to 2
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
HBM MIL-STD-883; class 3
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 μ s pulse waveform according to
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
PESDXU1UT_SER_2
IEC 61000-4-2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2009
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