参数资料
| 型号： | PESD24VU1UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 24V |
| 电压 - 击穿： | 25.4V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4039-6 |
NXP Semiconductors
PESDxU1UT series
Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse stand-off voltage
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5.0
12
15
24
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
V BR
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
breakdown voltage
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5.0 V
V RWM = 12 V
V RWM = 15 V
V RWM = 24 V
I R = 5 mA
-
-
-
-
-
5.8
7.0
14.2
17.1
25.4
0.25
0.03
<1
<1
<1
6.4
7.6
15.0
18.9
27.8
2
1
50
50
50
6.9
8.2
16.7
20.3
30.3
μ A
μ A
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
-
0.6
1.5
pF
V CL
clamping voltage
[1][2]
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 3 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
20
12
21
23
39
28
53
40
76
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
400
80
200
225
300
?
?
?
?
?
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 2
PESDXU1UT_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2009
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