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参数资料
| 型号： | PESD3V3L5UV,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE 5FOLD ESD PROTECT SSMINI6 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.3V |
| 功率（瓦特）： | 25W |
| 电极标记： | 5 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-666 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESDxL5UF/V/Y
Low capacitance unidirectional ?vefold ESD protection diode arrays
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
I PP
peak pulse power
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
t p = 8/20 μ s
[1][2]
[1][2]
-
-
25
2.5
W
A
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 65
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to pin 2.
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
20
kV
(contact discharge)
MIL-STD-883 (human
-
10
kV
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to pin 2.
Table 8.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
PESDXL5UF_V_Y_2
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 January 2008
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| PESD3V3S1UB115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 20V Unidirectional SOD-523 |
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