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参数资料
| 型号： | PESD3V3L5UV,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE 5FOLD ESD PROTECT SSMINI6 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.3V |
| 功率（瓦特）： | 25W |
| 电极标记： | 5 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-666 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESDxL5UF/V/Y
Low capacitance unidirectional ?vefold ESD protection diode arrays
10 2
006aab139
1.2
006aab140
P PP
P PP(25 ° C)
1.0
P PP
(W)
0.8
10
0.6
0.4
0.2
1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
T j ( ° C)
150
T amb = 25 ° C
Fig 3. Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4. Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical values
25
006aab141
10
006aab142
C d
(pF)
20
15
(1)
I R
I R(25 ° C)
1
(2)
10
5
0
0
1
2
3
4
V R (V)
5
10 ? 1
? 75
? 25
25
75
125
175
T j ( ° C)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L5UF; PESD3V3L5UV; PESD3V3L5UY
(2) PESD5V0L5UF; PESD5V0L5UV; PESD5V0L5UY
Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXL5UF_V_Y_2
Fig 6. Relative variation of reverse current as a
function of junction temperature; typical values
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 January 2008
7 of 17
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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