参数资料
型号: PESD3V3V4UK,132
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 25 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
封装: 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6
文件页数: 10/15页
文件大小: 502K
代理商: PESD3V3V4UK,132
PESDXV4UK_SER
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Product data sheet
Rev. 1 — 25 August 2010
4 of 15
NXP Semiconductors
PESDxV4UK series
Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection arrays
Fig 1.
8/20
μs pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
t (
μs)
040
30
10
20
001aaa630
40
80
120
IPP
(%)
0
et
100 % IPP; 8 μs
50 % IPP; 20 μs
001aaa631
IPP
100 %
90 %
t
30 ns
60 ns
10 %
tr = 0.7 ns to 1 ns
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PDF描述
PF38F3050L0YUQ3A SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88
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PFC04101.8UHKT 1 ELEMENT, 1.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
PFC041022UHKB 1 ELEMENT, 22 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
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相关代理商/技术参数
参数描述
PESD3V3V4UW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.3UA 3.3V SOT-665
PESD3V3V4UW T/R 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD3V3V4UW,115 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD3V3X1BCSFYL 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 6.5VC SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:5.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):8A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1.1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201(0603 公制) 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1
PESD3V3X1BL 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode