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参数资料
| 型号： | PESD3V3V4UK,132 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 25 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 502K |
| 代理商： | PESD3V3V4UK,132 |
PESDXV4UK_SER
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 25 August 2010
5 of 15
NXP Semiconductors
PESDxV4UK series
Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection arrays
6.
Characteristics
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20
μs exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
[2]
Measured from pin 1, 3, 4 or 6 to pin 2.
Table 8.
Characteristics
Tamb =25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
VRWM
reverse standoff voltage
PESD3V3V4UK
-
3.3
V
PESD5V0V4UK
-
5.0
V
PESD9V0V4UK
-
9.0
V
IRM
reverse leakage current
PESD3V3V4UK
VRWM = 3.3 V
-
0.13
1
μA
PESD5V0V4UK
VRWM = 5.0 V
-
0.05
0.3
μA
PESD9V0V4UK
VRWM = 9.0 V
-
0.003
0.1
μA
VBR
breakdown voltage
IR =1 mA
PESD3V3V4UK
5.3
5.6
5.9
V
PESD5V0V4UK
6.47
6.8
7.14
V
PESD9V0V4UK
11.4
12
12.7
V
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz;
VR =0V
PESD3V3V4UK
-
13
17
pF
PESD5V0V4UK
-
12.5
15
pF
PESD9V0V4UK
-
6.5
10
pF
VCL
clamping voltage
PESD3V3V4UK
IPP =2.6 A
-
9.5
V
PESD5V0V4UK
IPP =2.4 A
-
10
V
PESD9V0V4UK
IPP =1.5 A
-
19
V
rdif
differential resistance
IR =5 mA
PESD3V3V4UK
-
5
16
Ω
PESD5V0V4UK
-
2.5
8
Ω
PESD9V0V4UK
-
10
30
Ω
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PESD3V3X1BL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode |
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