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参数资料
| 型号： | PESD3V3V4UK,132 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 25 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 502K |
| 代理商： | PESD3V3V4UK,132 |
PESDXV4UK_SER
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 25 August 2010
10 of 15
NXP Semiconductors
PESDxV4UK series
Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection arrays
9.
Package outline
10. Packing information
[1]
For further information and the availability of packing methods, see Section 14.
[2]
T4: 90
° rotated reverse taping
Fig 11. Package outline SOT891
07-05-15
Dimensions in mm
0.5
max
0.04
max
0.35
1.05
0.95
0.55
1.05
0.95
0.20
0.12
0.40
0.32
0.35
0.27
0.35
3
2
1
4
5
6
Table 9.
Packing methods
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code.[1]
Type number
Package
Description
Packing quantity
5000
PESD3V3V4UK SOT891
4 mm pitch, 8 mm tape and reel; T4
[2] -132
PESD5V0V4UK
PESD9V0V4UK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF38F3050L0YUQ3A | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88 |
| PFC04108.2UHKT | 1 ELEMENT, 8.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| PFC04101.8UHKT | 1 ELEMENT, 1.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| PFC041022UHKB | 1 ELEMENT, 22 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| PFC04102700UHKT | 1 ELEMENT, 2700 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3V4UW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.3UA 3.3V SOT-665 |
| PESD3V3V4UW T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3V4UW,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3X1BCSFYL | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 6.5VC SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1.1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD3V3X1BL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode |
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