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参数资料
| 型号： | PESD3V3V4UK,132 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 25 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 502K |
| 代理商： | PESD3V3V4UK,132 |
PESDXV4UK_SER
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 25 August 2010
3 of 15
NXP Semiconductors
PESDxV4UK series
Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection arrays
5.
Limiting values
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20
μs exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
[2]
Measured from pin 1, 3, 4, or 6 to pin 2.
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
[2]
Measured from pin 1, 3, 4 or 6 to pin 2.
Table 5.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
PPP
peak pulse power
tp =8/20 μs
[1][2] -
PESD3V3V4UK
PESD5V0V4UK
-25
W
PESD9V0V4UK
-
28
W
IPP
peak pulse current
tp =8/20 μs
[1][2] -
PESD3V3V4UK
-
2.7
A
PESD5V0V4UK
-
2.5
A
PESD9V0V4UK
-
1.5
A
Per device
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
55
+150
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Table 6.
ESD maximum ratings
Tamb =25 °C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
VESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
(contact discharge)
PESD3V3V4UK
-
10
kV
PESD5V0V4UK
-
15
kV
PESD9V0V4UK
-
8
kV
PESDxV4UK series
machine model
[2] -
400
V
PESDxV4UK series
MIL-STD-883 (human
body model)
-8
kV
Table 7.
ESD standards compliance
Standard
Conditions
Per diode
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 4 kV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF38F3050L0YUQ3A | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88 |
| PFC04108.2UHKT | 1 ELEMENT, 8.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| PFC04101.8UHKT | 1 ELEMENT, 1.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| PFC041022UHKB | 1 ELEMENT, 22 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| PFC04102700UHKT | 1 ELEMENT, 2700 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3V4UW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.3UA 3.3V SOT-665 |
| PESD3V3V4UW T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3V4UW,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3X1BCSFYL | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 6.5VC SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1.1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD3V3X1BL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode |
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