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参数资料
| 型号： | PESD3V3V4UK,132 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE QUAD ESD PROTECT SOT891 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | * |
PESD3V3V4UK;
PESD5V0V4UK; PESD9V0V4UK
Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection
diode arrays
Rev. 1 — 25 August 2010
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Very low capacitance unidirectional quadruple ElectroStatic Discharge (ESD) protection
diode arrays in a leadless ultra small SOT891 Surface-Mounted Device (SMD) plastic
package designed to protect up to four unidirectional signal lines from the damage caused
by ESD and other transients.
1.2 Features and benefits
ESD protection of up to four lines
Very low diode capacitance
Max. peak pulse power: P PP = 28 W
Low clamping voltage: V CL = 9.5 V
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Computers and peripherals
Audio and video equipment
Cellular handsets and accessories
Very low leakage current: I RM = 0.1 μ A
ESD protection up to 15 kV
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
IEC 61000-4-5 (surge); I PP = 2.7 A
Communication systems
Portable electronics
Subscriber Identity Module (SIM) card
protection
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3V4UK
PESD5V0V4UK
PESD9V0V4UK
-
-
-
-
-
-
3.3
5.0
9.0
V
V
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2-644861-7 | CONN HEADER VERT 7POS .100 TIN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3V4UW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.3UA 3.3V SOT-665 |
| PESD3V3V4UW T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3V4UW,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3X1BCSFYL | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 6.5VC SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1.1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD3V3X1BL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode |
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