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参数资料
型号： PESD3V3V4UK,132
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 15/15页
文件大小： 0K
描述： DIODE QUAD ESD PROTECT SOT891
标准包装： 5,000
系列： *
NXP Semiconductors
PESDxV4UK series
Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection arrays
15. Contents
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Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
General description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features and benefits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
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Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Application information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Test information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Quality information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
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? NXP B.V. 2010.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 25 August 2010
Document identifier: PESDXV4UK_SER
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PDF描述
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参数描述
PESD3V3V4UW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.3UA 3.3V SOT-665
PESD3V3V4UW T/R 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD3V3V4UW,115 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD3V3X1BCSFYL 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 6.5VC SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1.1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1
PESD3V3X1BL 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
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