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参数资料
| 型号： | PESD3V3V4UK,132 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE QUAD ESD PROTECT SOT891 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | * |
NXP Semiconductors
PESDxV4UK series
Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection arrays
16.0
006aac381
10
006aac382
C d
(pF)
I RM
12.0
I RM(25 ° C)
(3)
(2)
8.0
4.0
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
(1)
0.0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V R (V)
10 ? 1
? 75
? 25
0
25
50
T j ( ° C)
75
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3V4UK
(2) PESD5V0V4UK
(3) PESD9V0V4UK
(1) PESD3V3V4UK
(2) PESD5V0V4UK
(3) PESD9V0V4UK
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
values
I
? V CL ? V BR ? V RWM
?
P-N
+
? I RM
? I R
? I PP
V
006aaa407
Fig 8.
V-I characteristics for a unidirectional ESD protection diode
PESDXV4UK_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 25 August 2010
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3V4UW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.3UA 3.3V SOT-665 |
| PESD3V3V4UW T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3V4UW,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3X1BCSFYL | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 6.5VC SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1.1pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD3V3X1BL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode |
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