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参数资料
| 型号： | PESD5V0S1BB,335 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD BI-DIR 5.0V SOD523 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.5V |
| 功率（瓦特）： | 130W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7349-6 |
PESD5V0S1BA; PESD5V0S1BB;
PESD5V0S1BL
Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
Rev. 04 — 20 August 2009
Product data sheet
1. Product pro?le
1.1 General description
Low capacitance ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in ultra small SMD
plastic packages designed to protect one signal line from the damage caused by ESD and
other transients.
Table 1.
Product overview
Type number
Package
NXP
JEITA
PESD5V0S1BA
PESD5V0S1BB
PESD5V0S1BL
1.2 Features
SOD323
SOD523
SOD882
SC-76
SC-79
-
I
I
I
I
Bidirectional ESD protection of one line
Max. peak pulse power: P PP = 130 W
Low clamping voltage: V (CL)R = 14 V
Ultra low leakage current: I RM = 5 nA
I
I
I
I
ESD protection > 30 kV
IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)
IEC 61000-4-5 (surge); I PP = 12 A
Ultra small SMD plastic packages
1.3 Applications
I Cellular handsets and accessories
I Portable electronics
I Computers and peripherals
1.4 Quick reference data
I Communication systems
I Audio and video equipment
Table 2.
Quick reference data
Symbol
V RWM
C d
Parameter
reverse stand-off voltage
diode capacitance
Conditions
V R = 0 V;
Min
-
-
Typ
-
35
Max
5
45
Unit
V
pF
f = 1 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PESD5V0S1ULD,315 | DIODE ESD PROTECTION SOD-882 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| PESD5V0S1BL,315 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD5V0S1BL315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD PROTECT BIDIR SOD-882 |
| PESD5V0S1BLD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE BIRDIR ESD 5V SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, BIRDIR, ESD, 5V, SOD882D |
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