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参数资料
| 型号： | PESD5V0S1BB,335 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD BI-DIR 5.0V SOD523 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.5V |
| 功率（瓦特）： | 130W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7349-6 |
NXP Semiconductors
PESD5V0S1BA/BB/BL
Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
I PP
T j
T amb
T stg
peak pulse power
peak pulse current
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
8/20 μ s
8/20 μ s
[1][2]
[1][2]
-
-
-
? 65
? 65
130
12
150
+ 150
+ 150
W
A
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponentially decaying waveform according to IEC61000-4-5; see
Measured from pin 1 to pin 2.
Table 7.
ESD maximum ratings
Symbol Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2 (contact
[1][2]
-
30
kV
capability
discharge)
HBM MIL-Std 883
-
10
kV
[1]
[2]
Measured from pin 1 to pin 2.
Table 8.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
PESD5V0S1BA_BB_BL_4
HBM MIL-STD 883; class 3
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 20 August 2009
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