参数资料
型号: PESD5V0S2UQ,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 6/13页
文件大小: 0K
描述: DIODE DBL ESD PROTECTION SOT663
产品培训模块: ESD Standards and Products
标准包装: 4,000
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.4V
功率(瓦特): 150W
电极标记: 2 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-663
供应商设备封装: SOT-663
包装: 带卷 (TR)
NXP Semiconductors
PESDxS2UQ series
Double ESD protection diodes in SOT663 package
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
001aaa726
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
0.4
001aaa193
10
1
10
10 2
t p ( μ s)
10 3
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 3.
Peak pulse power dissipation as a function of
pulse duration; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature;
typical values
240
C d
(pF)
200
160
120
(1)
(2)
001aaa727
50
C d
(pF)
40
30
20
(1)
001aaa728
(2)
80
40
10
0
(3)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3S2UQ; V RWM = 3.3 V
(2) PESD5V0S2UQ; V RWM = 5 V
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD12VS2UQ; V RWM = 12 V
(2) PESD15VS2UQ; V RWM = 15 V
(3) PESD24VS2UQ; V RWM = 24 V
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXS2UQ_SER_4
voltage; typical values
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 26 January 2010
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