- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录367941 > PHB125N06L (NXP Semiconductors N.V.) TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PHB125N06L |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET) |
| 中文描述： | TrenchMOS场效应晶体管逻辑电平（TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管） |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHB125N06L |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP125N06LT, PHB125N06LT
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0.01
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
T
VDS/V
Ciss
Coss
BUK959-60
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
0
10
20
30
40
50
QG/nC
60
70
80
90
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
VDS = 14V
VDS = 44V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1E-05
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
2%
typ
98%
0
0.2
0.4
0.6
VSDS/V
0.8
1
1.2
0
20
40
60
80
100
Tj/C =
175
25
IF/A
March 1998
5
Rev 1.400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP125N06T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶体管标准电平场效应管) |
| PHP125 | P-channel enhancement mode MOS transistor(P沟道增强型MOS晶体管) |
| PHP130N03T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶体管标准电平场效应管) |
| PHP13N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PHB125N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB125N06TT/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
| PHB129NQ04LT | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB129NQ04LT /T3 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。