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参数资料
| 型号： | PHB125N06L |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET) |
| 中文描述： | TrenchMOS场效应晶体管逻辑电平（TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管） |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHB125N06L |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP125N06LT, PHB125N06LT
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
March 1998
6
Rev 1.400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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