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参数资料
| 型号： | PHB125N06L |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET) |
| 中文描述： | TrenchMOS场效应晶体管逻辑电平（TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管） |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHB125N06L |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP125N06LT, PHB125N06LT
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.18. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.19. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
March 1998
8
Rev 1.400
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PDF描述 |
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参数描述 |
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