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参数资料
| 型号： | PHP109 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode MOS transistor(P沟道增强型MOS晶体管) |
| 中文描述： | 5 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封装： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | PHP109 |
1997 Jun 18
4
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP109
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
17.5
K/W
Fig.4
Transient thermal resistance from junction to soldering point as a function of pulse time; typical values.
1
10
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
1
10
2
10
2
10
1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
MGD392
tp (s)
Rth j-s
(K/W)
δ
=
0.75
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述 |
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