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参数资料
| 型号： | PHP109 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode MOS transistor(P沟道增强型MOS晶体管) |
| 中文描述： | 5 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封装： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | PHP109 |
1997 Jun 18
7
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP109
Fig.9
Drain source on-state resistance as a
function of gate-source voltage; typical
values.
handbook, halfpage
10
VGS (V)
0
MGD388
10
2
10
2
4
6
RDSon
(m
)
8
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
; T
j
= 25
°
C.
(1) I
D
=
100 mA.
(2) I
D
=
500 mA.
(3) I
D
=
1.25 A.
(4) I
D
=
2.5 A.
(5) I
D
=
5 A.
(6) I
D
=
7 A.
Fig.10 Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
1500
2000
1000
500
0
8
16
24
MGD383
VDS (V)
Ciss
Coss
Crss
Fig.11 Switching times test circuit and input and output waveforms.
handbook, full pagewidth
MGD391
10 %
90 %
Vin
Vout
td(on)
ton
toff
tr
tf
td(off)
10 %
90 %
10 %
90 %
0
0
VDD
RL
Vout
Vin
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