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参数资料
| 型号： | PMBD6100,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DATA SHEET
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBD7000,235 | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| PMBD7100,215 | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| PSA05-11EWA | DISPLAY 627NM RED ALPHANUM 0.5" |
| PSA05-11GWA | DISPLAY 565NM GRN ALPHANUM 0.5" |
| PSA05-11SRWA | DISPLAY 660NM RED ALPHANUM 0.5" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMBD7000 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SIGNAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SIGNAL, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Small signal diode double,PMBD7000 SOT23 |
| PMBD7000 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| PMBD7000 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 100V 0.215A 3-Pin TO-236AB T/R |
| PMBD7000,215 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SW DBL 100V 215MA HS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| PMBD7000,235 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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