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参数资料
| 型号： | PMBD6100,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2003 Mar 25 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode PMBD6100
GRAPHICAL DATA
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2 Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
0
0 200100
T ( C)amb
o
300
100
200
MBD033
I
F
(mA)
single diode loaded
double diode loaded
(1) Tj
= 150
°C; typical values.
(2) Tj
= 25
°C; typical values.
(3) Tj
= 25
°C; maximum values.
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage.
handbook, halfpage300
0
021
VF
(V)
IF
(mA)
100
200
MBG382
(1) (3)(2)
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
Tj
= 25
°C prior to surge.
2
handbook, full pagewidth10
MBG704
10
tp
(
μs)
1
IFSM
(A)
10?1
104
102
103
10
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBD7000,235 | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
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| PSA05-11GWA | DISPLAY 565NM GRN ALPHANUM 0.5" |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMBD7000 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SIGNAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SIGNAL, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Small signal diode double,PMBD7000 SOT23 |
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| PMBD7000 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 100V 0.215A 3-Pin TO-236AB T/R |
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| PMBD7000,235 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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