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参数资料
| 型号： | PMBD6100,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2003 Mar 25 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode PMBD6100
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
IFRM
repetitive peak forward current
?
450
mA
IFSM
non-repetitive peak forward current
square wave; Tj
=
25
°C prior to
surge; see
Fig.4
t
=
1
μs
?
4
A
t
=
1
ms
?
1
A
t
=
1
s
?
0.5
A
Ptot
total power dissipation
Tamb
=
25
°C; note
1
?
250
mW
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
550
700
mV
IF
=
10
mA
?
855
mV
IF
=
50
mA
?
1
V
IF
=
100
mA
0.85
1.1
V
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
50
V
?
100
nA
VR
=
50
V; Tj
=
150
°C
?
50
μA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.6
?
1.5
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
?; measured
at IR
=
1
mA; see
Fig.7
?
4
ns
Vfr
forward recovery voltage
when switched from IF
=
10
mA;
tr
=
20
ns; see
Fig.8
?
1.75
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
360
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBD7000,235 | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| PMBD7100,215 | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| PSA05-11EWA | DISPLAY 627NM RED ALPHANUM 0.5" |
| PSA05-11GWA | DISPLAY 565NM GRN ALPHANUM 0.5" |
| PSA05-11SRWA | DISPLAY 660NM RED ALPHANUM 0.5" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMBD7000 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SIGNAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SIGNAL, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Small signal diode double,PMBD7000 SOT23 |
| PMBD7000 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| PMBD7000 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 100V 0.215A 3-Pin TO-236AB T/R |
| PMBD7000,215 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SW DBL 100V 215MA HS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| PMBD7000,235 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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